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CYCLOTENE™ 4000 / 6800 / XP-80
Photosensitive Dielectric (Photo BCB Series)

우수한 저유전율(Low Dk 2.65 / Df 0.0008)과 탁월한 열안정성을 보유한 I-line 감광성 Photo BCB 수지입니다. 웨이퍼 레벨 패키징(WLP), 재배선층(RDL), Passivation 및 2.38% TMAH 표준 현상액 대응, 저온 경화(200°C) Self-priming 초저손실 유전막 솔루션을 제공합니다.

제품 개요 및 핵심 기술

CYCLOTENE™ 감광성 유전체 시리즈는 첨단 반도체 패키징 및 고주파(RF/5G/6G) 애플리케이션에 필수적인 초저유전율 특성과 초저흡습성을 겸비한 대표적인 고신뢰성 폴리머입니다.

CYCLOTENE™ BCB 핵심 성능 지표
기존 폴리이미드(PI) 대비 비교
유전율 (Dk @1~20GHz)
2.65
기존 PI(3.4) 대비 22%↓ (RC 지연 최소화)
유전손실률 (Df @1~20GHz)
0.0008
기존 PI(0.01) 대비 1/10↓ (초저손실 전송)
초저 흡습률 (Water Abs.)
< 0.2%
수분 흡수로 인한 유전율 상승 차단
내열성 (Glass Temp Tg)
> 350 ℃
무연 솔더 리플로우 완벽 대응

4000 & 6800 Series 특징

  • Low Dielectric Constant (Dk): 2.65 (1 GHz ~ 20 GHz 광대역)
  • Ultra-Low Dissipation Factor (Df): 0.0008 (고주파 신호 손실 최소화)
  • 6800 Series: High resolution (~1.5:1 Aspect Ratio), 2.38% TMAH 표준 알칼리 현상액 지원
  • 우수한 열안정성: Tg > 350 °C / 극저 흡습성 (< 0.2%)

CYCLOTENE™ XP-80 (Self-priming)

  • Self-priming 타입: 별도의 AP3000 밀착증진제 전처리 공정 생략 가능
  • Low Temperature Curable (200 °C): 저온 경화 공정으로 기판 열 스트레스 최소화
  • 고주파 최적화: Ultra-Low Loss 특성으로 초고속 High-Speed & High-Frequency 신호 전송 보장
  • 개발 간소화: PGMEA 현상 공정 대응

Photo-BCB 시리즈 주요 제품군 및 사양 비교

표를 좌우로 스크롤하여 전체 사양을 확인하세요
제품군 현상액 / 방식 경화 온도 특징 및 도포 두께
4000 Series Negative / 용제형 (DS2100/3000) 250 °C Low Dk/Df, 0.8µm – 30µm 두께 지원
6800 Series Negative / 2.38% TMAH 알칼리 210 – 250 °C 고해상도 (~1.5:1 AR), 표준 현상액
XP-80 Negative / PGMEA 200 °C (저온) Self-priming, 저온경화, 극저손실

주요 응용 분야 (Target Applications)

첨단 패키징 & RDL

  • Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP) 재배선층(RDL) 절연막
  • 2.5D / 3D IC 인터포저 유전체 층
  • Passivation 및 Stress Buffer 층

고주파 RF & 광소자

  • 5G / 6G 밀리미터파(mmWave) 통신 모듈 절연층
  • GaAs, InP 화합물 반도체 표면 보호 및 절연
  • MEMS 디바이스 캡슐화 및 절연 구조체

Photo BCB (4000/6800/XP-80) 기술 문의 및 샘플 요청